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量子计算:基于半导体量子点

量子计算:基于半导体量子点
作者:王取泉 程木田 刘绍鼎

图书详细信息:
ISBN:978-7-312-04846-3
估价:158.00元
版本:精装
丛书名称:量子科学出版工程第一辑

图书简介:

本(ben)书(shu)以(yi)清晰的(de)物理(li)图像和丰富的(de)实(shi)验结果比较全面地介(jie)绍了基于半导体量(liang)子(zi)(zi)点激(ji)子(zi)(zi)的(de)量(liang)子(zi)(zi)计算(suan)和量(liang)子(zi)(zi)信息方面的(de)最新研究(jiu)(jiu)进展(zhan)。全书(shu)共(gong)分8章(zhang)(zhang)(zhang),第(di)1章(zhang)(zhang)(zhang)和第(di)2章(zhang)(zhang)(zhang)是半导体量(liang)子(zi)(zi)点形貌(mao)结构(gou)和基本(ben)特性的(de)简要介(jie)绍;第(di)3章(zhang)(zhang)(zhang)至第(di)5章(zhang)(zhang)(zhang)是关(guan)于激(ji)子(zi)(zi)量(liang)子(zi)(zi)比特旋转(zhuan)和量(liang)子(zi)(zi)逻辑运算(suan)等量(liang)子(zi)(zi)计算(suan)方面的(de)研究(jiu)(jiu)进展(zhan);第(di)6章(zhang)(zhang)(zhang)至第(di)8章(zhang)(zhang)(zhang)则(ze)是关(guan)于激(ji)子(zi)(zi)复(fu)合单光(guang)(guang)子(zi)(zi)发(fa)射和纠(jiu)缠光(guang)(guang)子(zi)(zi)对(dui)发(fa)射等量(liang)子(zi)(zi)信息方面的(de)研究(jiu)(jiu)进展(zhan)。本(ben)书(shu)可以(yi)作(zuo)(zuo)为(wei)凝聚态物理(li)、光(guang)(guang)学、材(cai)料科(ke)(ke)学、量(liang)子(zi)(zi)计算(suan)科(ke)(ke)学等有关(guan)专业高年级(ji)本(ben)科(ke)(ke)生和研究(jiu)(jiu)生的(de)教学参考书(shu),也可供(gong)上述领域的(de)科(ke)(ke)技工作(zuo)(zuo)者参考。

目录:

序(xu)

前言(yan)

 

第(di)1章 半导体量子点形貌结构特征

引言

1.1界面涨落量子点

1.2自组(zu)织量(liang)子点

1.3耦合(he)量(liang)子点

1.4微腔中的量子点(dian)

1.5新型杂化量子点

参考文献

 

第(di)2章 半导体量子(zi)点基本相干特性和单量子(zi)点探测技术

引言

2.1半导体量子点基(ji)本(ben)相干特(te)性(xing)

2.2单量(liang)子点探测技术

参考文(wen)献

 

第3章(zhang) 半(ban)导(dao)体量子点激子量子比特(te)旋转及其品(pin)质因子

引言(yan)

3.1量子比特旋转基本(ben)概念

3.2半导体量(liang)子(zi)点激子(zi)量(liang)子(zi)比特自由旋(xuan)转品质(zhi)因子(zi)Q0

3.3半导体量子点激子量子比(bi)特Rabi振荡品质因(yin)子QR

3.4Rabi振(zhen)荡(dang)退相干机制的分析

参考文献

 

第4章 半导体(ti)量子点中的量子逻辑(ji)运算

引言

4.1量子逻辑门和(he)量子算法基本概(gai)念

4.2单个半导(dao)体量子(zi)点中实现控制旋(xuan)转门CROT

4.3利用量子交换操作实(shi)现两个量子比特态上的(de)粒(li)子数交换

4.4半导(dao)体量(liang)子(zi)点(dian)中DeutschJozsa量(liang)子(zi)逻辑运(yun)算

4.5三量子(zi)比特Toffoli门操(cao)作(zuo)

参考文(wen)献

 

第(di)5章 半(ban)导体量子点(dian)中激(ji)子自(zi)(zi)旋(xuan)弛豫(yu)和自(zi)(zi)旋(xuan)交换(huan)

引言

5.1半导体(ti)量子点中能级解简并与线(xian)偏振本征(zheng)态及(ji)其激子自旋

5.2半(ban)导体量子(zi)点中激子(zi)自旋弛豫特性

5.3利用Uf控制门实现激子自旋交换

参考文献

 

第(di)6章 半导体量子点单光(guang)子发射

引言(yan)

6.1光发(fa)射统计(ji)特性基本概念

6.2连(lian)续激(ji)发下单光子发射

6.3脉冲激发(fa)下单光(guang)子发(fa)射

6.4脉冲激发下交叉偏振单光(guang)子发射

6.5由脉冲(chong)激发(fa)过(guo)渡到(dao)连续(xu)激发(fa)

6.6半导体量(liang)子(zi)点(dian)单(dan)光子(zi)发射(she)实验(yan)观测

6.7半(ban)导体量子点单(dan)光子源(yuan)的(de)研究(jiu)进展(zhan)

参考文(wen)献

 

第7章 半(ban)导体量子点级联(lian)多光子发射(she)

引言

7.1单(dan)量子点中双激(ji)子三能级(ji)体系级(ji)联光子对(dui)的发射(she)特性

7.2耦(ou)合量子(zi)点双激子(zi)体(ti)系级联(lian)光子(zi)对的发射(she)特性

7.3三激子(zi)体(ti)系级联光(guang)子(zi)对(dui)的发射特性

参考文(wen)献

 

第(di)8章 半导体量子(zi)(zi)点(dian)中可控纠缠光子(zi)(zi)对的发(fa)射(she)

引言

8.1“光子(zi)对”偏振纠缠基(ji)本概念

8.2半导体量子点精细能级(ji)结构

8.3简并双激子体系(xi)纠缠光子发射特性(xing)

8.4非简并双(shuang)激子体系频谱过滤与纠缠光发射

8.5半导体量(liang)子点纠缠光源的研(yan)究进展

参考(kao)文献

 

附(fu)录

附录(lu)1.1半导体(ti)量(liang)子(zi)(zi)点中量(liang)子(zi)(zi)计算和(he)量(liang)子(zi)(zi)信息(xi)标(biao)志性(xing)实(shi)验研究进(jin)展(2001—2019)

附录(lu)2.1单(dan)量(liang)(liang)子点能级结构(gou)示意(yi)图(tu)以(yi)及单(dan)量(liang)(liang)子点探测技(ji)术

附录(lu)3.1含浸润层和双激子等多能级(ji)跃迁的粒子数(shu)运动方程

附录4.1激子(zi)双激子(zi)四能级体系激子(zi)动(dong)力学(xue)方程

附录4.2双脉(mai)冲(chong)激发下(xia)V型(xing)三能级(ji)系统(tong)激子动(dong)力学方程

附录5.1含粒子(zi)数泄漏与Auger俘(fu)获(huo)的(de)激子(zi)自(zi)旋弛豫动力学方(fang)程(cheng)

附录6.1量子回归定(ding)理及其推论

附录6.2脉(mai)冲(chong)激发下简(jian)单三能(neng)级体系二阶相(xiang)关函数运动方程

附录(lu)6.3脉(mai)冲激发下V型体系(xi)二阶相关函数运动(dong)方程

附录(lu)7.1双激子三能级体系二阶相关函数运动方程

附录7.2脉冲激发下(xia)耦合量子点体(ti)系的(de)二阶相关函数运动方程(cheng)

附录(lu)7.3激(ji)子双激(ji)子三激(ji)子体(ti)系运动力学方程

附录(lu)7.4脉冲激(ji)发下(xia)激(ji)子双(shuang)激(ji)子三激(ji)子体(ti)系二阶相(xiang)关函数运动方程

附录8.1作者及(ji)其课题(ti)组发表的相(xiang)关(guan)研(yan)究论文



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